IPT019N08N5ATMA1

Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF

생산 중8-PowerSFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 150A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9200 pF @ 40 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™5
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 159µA

드레인-소스 전압	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Ta), 247A (Tc)
최대 전력 손실	231W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)