IPS65R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

IPS65R1K5CEAKMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251

구형TO-251-3 Stub Leads, IPak아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 100 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈CoolMOS™ CE
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Tc)
최대 전력 손실28W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
공급사 디바이스 패키지TO-251

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)