IPP65R099CFD7AAKSA1

Name: IPP65R099CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 12.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2513 pF @ 400 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Through Hole
포장	Tube
제품 상태	생산 중
시리즈	*
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
최대 전력 손실	127W (Tc)