IPD90P03P404ATMA2

Infineon Technologies

IPD90P03P404ATMA2

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

생산 중TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 90A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10300 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈OptiMOS®-P2
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 253µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
최대 전력 손실137W (Tc)

기계적 특성

공급사 디바이스 패키지PG-TO252-3-11

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101