IPD80P03P4L07ATMA1

Name: IPD80P03P4L07ATMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

단종TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 25 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
시리즈	OptiMOS™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
최대 전력 손실	88W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)