IPD12CN10NG

Name: IPD12CN10NG
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 67A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4320 pF @ 50 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™ 2
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	67A (Tc)
최대 전력 손실	125W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)