IPC020N10L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC020N10L3X1SA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

생산 중Die아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
기본 품번IPC020N
FET TypeN-Channel
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 12µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseDie
공급사 디바이스 패키지Sawn on foil