IPB60R230P6ATMA1

Name: IPB60R230P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3

구형TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 6.4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 100 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	CoolMOS™ P6
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 530µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.8A (Tc)
최대 전력 손실	126W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)