IPB45P03P4L11ATMA1

Infineon Technologies

IPB45P03P4L11ATMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3

단종TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 45A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3770 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 85µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
최대 전력 손실58W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101