IMZA120R040M1HXKSA1

Name: IMZA120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

SIC DISCRETE

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	54.4mOhm @ 19.3A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1620 nF @ 25 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	CoolSiC™
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.2V @ 8.3mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	55A (Tc)
최대 전력 손실	227W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)