IMYH200R012M1HXKSA1

Name: IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

SIC DISCRETE

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 60A, 18V
기본 품번	IMYH200
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	246 nC @ 18 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	CoolSiC™
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+20V, -7V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 48mA

드레인-소스 전압	2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	123A (Tc)
최대 전력 손실	552W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)