IMBG65R039M1HXTMA1

Name: IMBG65R039M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263

생산 중아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	51mOhm @ 25A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1393 pF @ 400 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	CoolSiC™
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+23V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 7.5mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	54A (Tc)
최대 전력 손실	211W (Tc)

패키지	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지	PG-TO263-7-12

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)