IMBG120R045M1HXTMA1

Name: IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 16A, 18V
기본 품번	IMBG120
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1527 pF @ 800 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	CoolSiC™
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+18V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 7.5mA

드레인-소스 전압	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)
최대 전력 손실	227W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)