IMBF170R450M1XTMA1

Infineon Technologies

IMBF170R450M1XTMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 2A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds610 pF @ 1000 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈CoolSiC™
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 2.5mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.8A (Tc)
최대 전력 손실107W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급사 디바이스 패키지PG-TO263-7-13

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)