일반
| 기본 품번 | IGT60R190 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | CoolGaN™ |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 55.5W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| 공급사 디바이스 패키지 | PG-HSOF-8-3 |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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