IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N10S5N014ATMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8

생산 중8-PowerSFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16011 pF @ 50 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 275µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360A (Tj)
최대 전력 손실375W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
공급사 디바이스 패키지PG-HSOF-8-1

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)