FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1

Infineon Technologies

FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1

아날로그 및 전원

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B

생산 중Module아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1mOhm @ 100A, 18V
기본 품번FF8MR12
구성2 N-Channel
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs297nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8800pF @ 800V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
시리즈CoolSiC™
기술Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.15V @ 40mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tj)

기계적 특성

패키지Tray
Package / CaseModule
공급사 디바이스 패키지AG-EASY1B

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)