FF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

구형Module아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 100A, 15V
기본 품번FF11MR12
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7950pF @ 800V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Chassis Mount
Product StatusObsolete
시리즈CoolSiC™+
기술Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 40mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A

기계적 특성

패키지Tray
Package / CaseModule
공급사 디바이스 패키지Module

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)