F423MR12W1M1PB11BPSA1

Infineon Technologies

F423MR12W1M1PB11BPSA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

구형Module아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
기본 품번F423MR12
구성4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.68nF @ 800V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Chassis Mount
포장Tray
제품 상태구형
시리즈EasyPACK™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

기계적 특성

Package / CaseModule
공급사 디바이스 패키지AG-EASY1B-2

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)