BUZ77B

Infineon Technologies

BUZ77B

아날로그 및 전원

N-CHANNEL POWER MOSFET

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈SIPMOS ®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tc)
최대 전력 손실75W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220AB

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)