가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| 드레인-소스 전압 | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 95W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 공급사 디바이스 패키지 | PG-TO262-3 |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|