BTS282Z E3230

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

구형TO-220-7아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
FET FeatureTemperature Sensing Diode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈TEMPFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 240µA

전기적 특성

드레인-소스 전압49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
최대 전력 손실300W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-7
공급사 디바이스 패키지P-TO220-7-230

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 175°C (TJ)