BTS115AE6327

Infineon Technologies

BTS115AE6327

아날로그 및 전원

N-CHANNEL POWER MOSFET

구형TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 7.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈TEMPFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Tc)
최대 전력 손실50W

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지PG-TO220-3-1

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)