BSZ215CHXTMA1

Infineon Technologies

BSZ215CHXTMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5.1A, 4.5V
구성N and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds419pF @ 10V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 110µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A, 3.2A
Power - Max2.5W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TSDSON-8

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101