BSZ0910NDXTMA1

Infineon Technologies

BSZ0910NDXTMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9A, 10V
기본 품번BSZ0910
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 15V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 25A (Tc)
Power - Max1.9W (Ta), 31W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PG-WISON-8

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)