BSP149 E6327

Name: BSP149 E6327
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

구형TO-261-4, TO-261AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	SIPMOS®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 400µA

드레인-소스 전압	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	660mA (Ta)
최대 전력 손실	1.8W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)