BSO303SP

Name: BSO303SP
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

P-CHANNEL POWER MOSFET

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 9.1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2330 pF @ 25 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS® -P
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 100µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
최대 전력 손실	1.56W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)