BSO080P03NS3G

Name: BSO080P03NS3G
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

BSO080P03 - 20V-250V P-CHANNEL P

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 14.8A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6750 pF @ 15 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™ 3
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 150µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
최대 전력 손실	1.6W (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)