BSC0911NDATMA1

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
기본 품번BSC0911
구성2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 12V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A, 30A
Power - Max1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TISON-8

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)