BSC080N03MSG

Infineon Technologies

BSC080N03MSG

아날로그 및 전원

BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 15 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™ 3
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 53A (Tc)
최대 전력 손실2.5W (Ta), 35W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TDSON-8-5

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)