BSC074N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

BSC074N15NS5ATMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 75 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™ 5
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 136µA

전기적 특성

드레인-소스 전압150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C114A (Tc)
최대 전력 손실214W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TSON-8-3

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)