BSC072N03LDGATMA1

Infineon Technologies

BSC072N03LDGATMA1

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 20A, 10V
기본 품번BSC072N03
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A
Power - Max57W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TDSON-8-4

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)