BSC028N06NSTATMA1

Infineon Technologies

BSC028N06NSTATMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3375 pF @ 30 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 50µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 100A (Tc)
최대 전력 손실3W (Ta), 100W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PG-TDSON-8-7

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)