BSB044N08NN3GXUMA1

Infineon Technologies

BSB044N08NN3GXUMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

생산 중3-WDSON아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 40 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 97µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 90A (Tc)
최대 전력 손실2.2W (Ta), 78W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-WDSON
공급사 디바이스 패키지MG-WDSON-2, CanPAK M™

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)