AUIRF1018E

Infineon Technologies

AUIRF1018E

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB

단종TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 47A, 10V
기본 품번AUIRF1018
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2290 pF @ 50 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusNot For New Designs
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79A (Tc)
최대 전력 손실110W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220AB

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)