AIMW120R080M1XKSA1

Infineon Technologies

AIMW120R080M1XKSA1

데이터시트

아날로그 및 전원

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 13A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060 pF @ 800 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈CoolSiC™
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -7V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 5.6mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
최대 전력 손실150W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101