1EBN1001AEXUMA1

Name: 1EBN1001AEXUMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43

생산 중14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

기본 품번	1EBN1001
Channel Type	Single
Driven Configuration	High-Side or Low-Side
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Number of Drivers	1
Product Status	Active
Rise / Fall Time (Typ)	50ns, 90ns
시리즈	Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™

High Side Voltage - Max (Bootstrap)	1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH	1.5V, 3.5V
공급 전압	13V ~ 18V

동작 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)