RFP2N18

Harris Corporation

RFP2N18

아날로그 및 전원

N-CHANNEL, MOSFET

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 25 V
제조사Harris Corporation
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

전기적 특성

드레인-소스 전압180 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
최대 전력 손실25W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)