GT400P10K

Goford Semiconductor

GT400P10K

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

생산 중TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3128 pF @ 50 V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
최대 전력 손실106W (Tc)

기계적 특성

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)