GT110N06D3

Name: GT110N06D3
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 14A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1059 pF @ 30 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	GT
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
최대 전력 손실	25W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)