GS120R045Q4

Name: GS120R045Q4
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

SiC MOSFET N-CH 1200V 60A TO-24

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 20A, 18V
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565 pF @ 1000 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	-10V, +20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
최대 전력 손실	395W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)