G7P03L

Goford Semiconductor

G7P03L

데이터시트

아날로그 및 전원

P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 15 V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
최대 전력 손실1.9W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급사 디바이스 패키지SOT-23-3

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)