G7P03D2

Goford Semiconductor

G7P03D2

데이터시트

아날로그 및 전원

P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 15 V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
최대 전력 손실1.3W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-DFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)