G65P06K

Name: G65P06K
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5814 pF @ 25 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)
최대 전력 손실	125W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)