G33N03D3

Goford Semiconductor

G33N03D3

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8DFN

생산 중8-DFN (3x3)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 16A, 10V
기본 품번G33N
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds837pF @ 15V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
Power - Max13W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-DFN (3x3)
공급사 디바이스 패키지8-PowerVDFN

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)