G2K3N10L6

Goford Semiconductor

G2K3N10L6

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

생산 중SOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
기본 품번G2K3N
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Power - Max1.67W (Tc)

기계적 특성

Package / CaseSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지SOT-23-6L

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)