일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 12A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 10 V |
| 제조사 | Goford Semiconductor |
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Tube |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |