가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.1A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| 제조사 | Goford Semiconductor |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 1.7W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | SOT-23-3 |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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