G20N06D52

Name: G20N06D52
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

생산 중8-DFN (4.9x5.75)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 20A, 10V
기본 품번	G20N
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1326pF @ 30V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Power - Max	48W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)