G2012

Name: G2012
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1255 pF @ 10 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
최대 전력 손실	1.5W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)